Добрый день, Коллеги. Важное сообщение, просьба принять участие. Музей Ферсмана ищет помощь для реставрационных работ в помещении. Подробности по ссылке

Автор(ы):Овсиенко Д.Е.
Редактор(ы):Хандров Л.Г.
Издание:Издательство "Наукова Думка", Киев, 1994 г., 255 стр., УДК: 548.5, ISBN: 5-12-003789-5
Язык(и)Русский
Зарождение и рост кристаллов из расплава

В книге излагаются результаты теоретических и экспериментальных исследований процесса зарождения центров кристаллизации. Обсуждаются механизм влияния на этот процесс растворимых и нерастворимых добавок, проблема экспериментального наблюдения гомогенного зародышеобразования. Рассмотрены кинетика, морфология и механизм роста кристаллов из расплава веществ с разными энтропиями плавления, предложен экспериментальный критерий классификации веществ по механизмам роста. Изложены результаты исследований по взаимодействию растущего кристалла с инородными включениями в расплаве.
Для научных и инженерно-технических работников, преподавателей и студентов вузов.

Издание:МЦНМО, Москва, 2014 г., 148 стр., УДК: 548.0, ISBN: 978-5-4439-2154-9
Язык(и)Русский
Занимательная кристаллография

В книге в краткой и доступной для школьников форме изложены основы классической кристаллографии. Материал организован в виде занятий, каждое из которых дополняется контрольными вопросами и упражнениями. В приложениях к пособию приведен дополнительный иллюстративный материал, представлены полезные ссылки на литературу и интернет-ресурсы, разобрана работа кабинета кристаллографии на олимпиаде школьников по геологии в МГУ, а также приведены ответы к упражнениям каждой ступени.
Книга предназначена для школьников, желающих ознакомиться с основами кристаллографии в объеме, достаточном для успешного участия в олимпиадах по геологии, а также для преподавателей геологических кружков

Издание:Издательский дом НИТУ МИСиС, Москва, 2017 г., 54 стр., УДК: 621.793
Язык(и)Русский
Выращивание кристаллов. Выращивание кристаллических пленок методом магнетронного напыления

Практикум включает в себя материал, необходимый для подготовки и проведения лабораторной работы по выращиванию кристаллических пленок методом магнетронного напыления по курсу «Выращивание кристаллов». Изложены основы теории магнетронного напыления, дано описание аппаратуры, методик напыления и оценки качества полученных кристаллических пленок.

Издание:ТТИ ЮФУ, Таганрог, 2009 г., 76 стр., УДК: 548 (07)
Язык(и)Русский
Теория симметрии кристаллов

В учебном пособии последовательно излагается теория симметрии кристаллов. Рассматривается геометрическое и аналитическое описание свойств симметрии твердых тел.
Предназначено для студентов и научных работников, осваивающих дисциплину «Кристаллография».

Автор(ы):Левицкий И.А.
Издание:БГТУ, Минск, 2008 г., 198 стр., УДК: 548/549 (076.5), ISBN: 978-985-434-802-5
Язык(и)Русский
Кристаллография, минералогия и петрография

Практикум включает комплекс работ по курсу «Кристаллография, минералогия и петрография», охватывая геометрическую кристаллографию, основы кристаллохимии, физической кристаллографии, а также минералогии и петрографии. Отдельный раздел практикума посвящен технической петрографии.
В лабораторных работах рассмотриваются общие теоретические вопросы, порядок выполнения работ, приводятся контрольные вопросы по изучаемому материалу.

Издание:МИСиС, Москва, 1969 г., 53 стр.
Язык(и)Русский
Пособие по физической кристаллографии. Тема 4. Индицирование плоскостей и направлений в кристаллах

Анализ взаимного расположения граней кристалла оказывается весьма полезным при изучении различных свойств кристалла. Симметрия естественной огранки кристалла, как и симметрия его свойств (оптических, механических, теплопроводности. электропроводности и др.) определяется закономерным внутренним строением кристалла

Автор(ы):Глазов А.И.
Издание:Недра, Ленинград, 1981 г., 147 стр., УДК: 548.1:531.749
Язык(и)Русский
Методы морфометрии кристаллов

Книга посвящена изложению методов измерения формы кристаллов. Форма кристалла может считаться известной, если способ се задания позволяет указать пространственные, координаты любой точки на поверхности кристалла. В традиционных способах описания формы точно указываются только неправде пня внешних нормалей к граням (и виде набора {hkl}, отнесенного к соответствующей ячейке кристалла), что явно недостаточно математически и с точки зрения современных задач кристалломорфологии. <...>
Для регистрации поверхности кристалла наиболее удобен фотогониометрический метод. Определение огранения и кристаллографических констант Осуществляется на фотогномонических проекциях. Для решения всех задач в гномонической проекции разработаны расчетные методы. Они устраняют иловые ограничения, свойственные графическому представлению этой проекции.
Габитус кристалла, выражаемый отношением площадей его граней, может измеряться путем фотометрирования рефлексов от граней па фотограммах или на гониометре известными фотоэлектрическими методами. Перспективным представляется автоматическое фотометрирование рефлексов с частичным использованием аппаратуры для рентгеноструктурных исследований или на микроденситометрах.
Микроскопические неровности на поверхности кристалла вызывают дифракционное рассеяние отраженного света. Исследование дифрагированного излучения позволяет в ряде случаев определять не только геометрию неровностей, но и их размеры.
Для кристаллографов, минералогов, кристаллофизикой, занимающихся изучением, выращиванием и использованием кристаллов

Автор(ы):Бакли Г.
Редактор(ы):Аншелес О.М., Франк-Каменецкий В.А.
Издание:Издательство иностранной литературы, Москва, 1954 г., 436 стр.
Язык(и)Русский (перевод с английского)
Рост кристаллов

В своей повседневной работе специалисты многих областей физики, химии и геологии постоянно имеют дело с различными кристаллами, их образованием, разрушением, растворением и т. д. Вопросы роста кристаллов приобрели особенно актуальное значение примерно за последние два десятилетия, когда искусственно выращенные однородные монокристаллы различных веществ получили широкое применение в технике и в промышленности в качестве заменителей природных кристаллов—минералов (горного хрусталя, флюорита, исландского шпата, турмалина, корунда и др.), причем в ряде случаев вновь созданные кристаллические вещества оказались более пригодными, чем природные.

Издание:Москва, 1989 г., 44 стр.
Язык(и)Русский
Кристаллография и минералогия

Пособие составлено в соответствии с новыми учебными планами и программами для специальности 11.01. Учтены требования планов непрерывной подготовки студентов МИСиС по физике, химии, а также базовые программы специальных курсов. При изучении кристаллографии и минералогии студентам рекомендуется использовать коллекцию минералогического музея кафедры руднотермических процессов МИСиС.

Ленты новостей
1429.31