В книге (1-е издание вышло в 1976 г.) излагаются основы классической кристаллографии и кристаллохимии, а также вопросы широко развившейся за последние годы кристаллофизики, технической кристаллографии, приводятся инженерные методы расчета свойств кристаллов, описываются новые кристаллические материалы и подробно рассматривается применение кристаллов  в технике.

Учебник содержит краткое изложение основ науки о кристаллах: общие понятия о свойствах и строении твердого кристаллического вещества, основы геометрии, физики и химии кристаллов. Описан ряд кристаллографических методов.
При подготовке учебника к переизданию в него были внесены исправления и существенные дополнения с учетом последних достижений науки.

Кристаллография, изучающая процессы образования, формы, структуру и физико-химические свойства кристаллов, теснейшим образом связана с промышленностью.

Развитие металлургии, приборостроения, радиотехники, оптической промышленности, производство новых высококачественных химических продуктов, создание высокопрочных и жаростойких материалов, каменного литья, сахарного производства и многих других отраслей требуют от своих работников углубленных знаний в области кристаллографии.

Настоящий том посвящен изложению физических свойств кристаллов на основе учения о кристаллофизике.
Вначале вводится тензорный аппарат кристаллофизики и рассматриваются общие вопросы симметрии физических свойств кристаллов. Далее рассматриваются механические (упругие свойства, пластическая деформация, механическое двойни ковапие, разрушение), электрические (и основном гегнетоэлсктрнчесюю), магнитные, полупроводниковые и оптические свойства кристаллов. Изложены явления переноса в процессах ллектро- и теплопроводности, а также термоэлектрические, гальвано-и термомагнитиые явления в кристаллах. Описаны физические свойства жидких кристаллов.
Книга рассчитана на научных сотрудников и инженеров, работающих в области исследования, применения и выращивания кристаллов, а также преподавателей, аспирантов и студентов старших Курсов высших учебных Заведении.

Предлагаемый читателю третий том «Современной кристаллографии» посвящен научным и практическим вопросам образования кристаллов. В первой части систематически изложены основные представления о фундаментальных явлениях кристаллизации. Здесь рассмотрены: термодинамические движущие силы кристаллизации; структура фазовой границы между кристаллом и его паром, раствором и расплавом; образование зародышей в объемах переохлажденных фаз и на твердых поверхностях; эпитаксия; кинетика послойного и нормального роста; морфология поверхностей; влияние примесей на процессы роста и захват примесей; устойчивость фронта кристаллизации; образование дефолтов при кристаллизации — захват включении, образование дислокаций и остаточных напряжений; массовая кристаллизация и созревание в дисперсных кристаллических системах.
Во второй части книги систематически изложены основы всех методов выращивания кристаллов, получивших достаточно широкое распространение в промышленной и лабораторной практике: отдельно рассмотрены физические и химические методы выращивания из газовой фазы, методы выращивания из низкотемпературных водных растворов, из гидротермальных растворов, из растворов в высокотемпературных расплавах, методы выращивания из расплавов, в том числе при высоких температурах. Описаниям всех методов предпослан анализ их физико-химических основ. Для каждого из методов приведены характерные примеры его применения, разобраны важнейшие характеристики кристаллов, связанные с условиями их получения, диагностика дефектов в кристаллах п некоторые пути управления ростом и реальной структурой кристаллов. Изложены основные принципы выбора подходящей методики для практического выращивания кристаллов с теми или иными свойствами. Книга имеет целью вооружить читателя методическими основами анализа процессов кристаллизации и практического выращивания кристаллов. Изложение требует знакомства читателя с основами физики и химии в объеме начального вузовского курса и не предполагает знакомства с литературой по образованию кристаллов. Вместе с тем значительная часть материала представляет интерес также для специалистов в области образования кристаллов.

Настоящий том посвящен описанию атомного (идеального) строения кристаллов, электронной структуры и динамики решетки, реальной структуры кристаллов с ее разнообразными дефектами.
Излагаются основы теории химической связи между атомами, рассматриваются геометрические представления в теории кристаллической структуры и кристаллохимии, энергия решетки. Описываются важнейшие классы кристаллических структур неорганических и органических соединений, а также строение полимеров, жидких кристаллов, биологических кристаллов и макромолекул.
Даны основы электронной теории кристаллической решетки, позволяющие классифицировать кристаллы по их энергетическому спектру. Рассматриваются динамика решетки и фазовые переходы. Изложены представления о реальной структуре кристаллов с ее различными термодинамически равновесными и неравновесными нарушениями, проанализированы и математически описаны все типы дефектов, особое внимание уделено теории дислокаций.
Книга рассчитана на научных сотрудников, специалистов-практиков и производственников: физиков, химиков, кристаллографов, минералогов, инженеров, изучающих кристаллы и использующих методы и аппарат кристаллографии, а также студентов старших курсов и аспирантов.

Настоящий том посвящен учению о симметрии кристаллов, которое является теоретической основой кристаллографии, и изложению методов анализа атомной структуры кристаллов.
Вначале вводятся основные понятия кристаллографии, рассматриваются общие характеристики кристаллического состояния вещества — макроскопические и микроскопические (определяемые решетчатым строением). Учение о симметрии излагается па основе теории групп. Анализируются точечные группы симметрии, группы стержней и слоев, пространственные группы. Рассматриваются обобщения симметрии: антисимметрия и цветная симметрия. Дается геометрическая теория описания конечного кристалла и кристаллической решетки.
Изложены физические принципы и основы математического аппарата структурного анализа кристаллов. Описаны методы изучения атомного строения   кристаллического   вещества:   рентгеноструктурный   анализ, электронография, нейтронография,  электронная микроскопия. Книга рассчитана на научных сотрудников, специалистов-практиков и производственников: кристаллографов, физиков, химиков, минералогов, инженеров, использующих методы и аппарат кристаллографии, а также студентов старших курсов и аспирантов.

«Курс кристаллографии» доктора геологических наук, профессора Ленинградскою горного института Анатолия Капитоновича Болдырева, является третьим, частично исправленным и дополненным изданием . В нем описываются: формы кристаллов, методы их изучения, геометрическая теория строения и определение вещества по формам, его кристаллов; механические, тепловые, рентгенометрические, магнитные, звуковые свойства кристаллов, их рост и растворение; связь их формы и строения с химическим составом, полиморфизм и др. Кроме этого приведено описание универсального столика Е. С. Федорова и склерометра Мартенса с указанием основных приемов работы с ними.
Книга является не только прекрасным учебником для студентов геологоразведочных специальностей, но и ценным руководством для специалистов.

В первой части книги приведены краткие общие сведения по минералогии, вторая содержит описание 450 минералов. В третьей части приводятся определители - макроскопическим способом и при помощи паяльной трубки - охватывающие важнейшие минералы. Даны справочные таблицы. Руководство является полезным и необходимым пособием при изучении и определении минералов. Оно может быть использовано в качестве учебного пособия для геологических специальностей вузов.

В доступной форме изложены: Понятие о проектировании (понятие о проекции, общий обзор проекции, семейство перспектив, шкалы линейная и стереографическая, применение проекций к кристаллографии) Теория стереографических проекций (полярная система координат, основные свойства стереографических проекций, стереографические сетки) Работа на сетке проф. Г. В. Вульфа (техника черчения, задачи, встречаемые в кристаллографии, задачи кристаллооптические, горногеометрические) Теория линейных проекций (основные положения, теоремы об углах в линейных проекциях, пример гномонического проектирования) Работа без сетки и на полярных сетках (вычерчивание стереографических проекций, основные задачи, кристаллооптические задачи, вращение на сетке проф. В. С. Сидорова, гемисфера проф. В. В. Никитина) Словарь терминов

Сборник содержит в основном обзоры по структуре, росту и свойству кристаллов. Публикуемые материалы отражают современное состояние исследований в области теории симметрии, структуры жидких кристаллов, механизмов зарождения и роста кристаллов, образования дефектов при кристаллизации. Приводятся методы и результаты изучения реальной структуры кристаллов и ее связи с оптическими, механическими, электрическими и магнитными свойствами. Специальный раздел посвящен фазовым переходам, оптическим, магнитооптическим, фото- и сегнетоэлектрическим явлениям в кристаллах. Авторы сборника – известные специалисты в области кристаллографии и физики твердого тела.