Практикум включает в себя материал, необходимый для подготовки и проведения лабораторной работы по выращиванию кристаллических пленок методом магнетронного напыления по курсу «Выращивание кристаллов». Изложены основы теории магнетронного напыления, дано описание аппаратуры, методик напыления и оценки качества полученных кристаллических пленок.

Книга представляет собой наиболее полную в настоящее время сводку по методике и технике выращивания кристаллов. В ней рассмотрены вопросы роста кристаллов из растворов, расплавов, из твердой и газовой фаз, а также специальные методы выращивания (при экстремальных условиях, выращивание скелетов, нитевидных кристаллов — усов, высокополимеров). Для каждого метода приведены теоретические основы, описание применяемой аппаратуры И получаемых веществ. Показаны варианты методов, обусловленные свойствами отдельных материалов. Особое внимание уделено реальной структуре выращенных кристаллов — дефектам.

Изложены методы выращивания кристаллов из растворов при атмосферном давлении и умеренной температуре (до 100° С), наиболее доступные и часто применяющиеся в лабораторных условиях. Описаны техническое оснащение кристаллизационной лаборатории, приемы работ, меры борьбы с неоднородно-стями, возникающими в кристаллах при их росте, подбор оптимальных условий для выращивания и т. д. Второе издание (1-е изд.— 1967) значительно перера-ботано и дополнено новыми материалами как по теории роста кристаллов, так и по методам их выращивания.

Для кристаллографов, минералогов, физиков и химиков, связанных с вы-ращиванием и изучением кристаллов. Для всех тех, кто занимается или начи¬нает заниматься выращиванием кристаллов с целью изучения самих кристаллов или процессов их образования.

В статьях рассмотрены результаты экспериментальных исследований по растворимости, синтезу и кристаллизации бериллиевых минералов в широком диапазоне физико-химических условий –гидротермальных, газотранспортных и флюсовых.

Описаны зависимость внутреннего строения и габитуса кристаллов от условий роста, а также физических свойств от химического состава минералов.

Сборник рассчитан на минералогов, геохимиков, специалистов в области экспериментальной минералогии и роста кристаллов.

В монографии рассматриваются методы выращивания лазерных диэлектрических кристаллов. Рассмотрение и систематизация методов ведётся с позиций, предъявляемых современной техникой к активным материалам твёрдотельных лазеров. Поэтому данную работу можно рассматривать как введение в материаловедение твёрдотельной квантовой электроники. С целью лучшей иллюстрации материала в работе приводятся основные сведения об использующихся в лазерной технике матрицах - кристаллах простых и сложных оксидов и фторидов. Рассмотрены методы выращивания из расплава, растворов и из газовой фазы объёмных кристаллов и плёнок. Приведены технологические схемы и режимы получения всех перспективных лазерных материалов. Особое внимание уделено как широко используемым в промышленности (методы Вернейла, Чохральского, Багдасарова), так и новым (оптическая зонная плавка, выращивание с лазерным нагревом, выращивание гарнисажным методом, получение лазерных плёнок жидкофазной эпитаксией и с помощью газотранспортных реакций). При рассмотрении каждого метода обсуждаются его технические характеристики и указывается круг материалов, который может быть этим методом получен.

Книга предназначена для научных работников и инженеров, специализирующихся в области материаловедения электронной техники, физики и химии твёрдого тела, а также специалистов, занимающихся проблемой поиска новых высокотемпературных материалов. Она может быть полезна студентам старших курсов и аспирантам, специализирующимся в области материаловедения.

Искусственное получение больших однородных кристаллов из водных растворов является проблемой, вставшей перед техникой буквально в самые последние годы. До этого времени выращивание таких кристаллов велось лишь в лабораториях и имело целью получение объектов для кри-сталлофизических исследований.

Последние десятилетия ознаменовались вовлечением в технику материалов, ранее не употреблявшихся, и созданием новых материалов, по своим свойствам отличных от применявшихся ранее. К числу таких материалов относятся и монокристаллы разных веществ, замечательных своими кристаллофизическими свойствами. В первую очередь получили применение природные кристаллы — минералы. Затем техника стала на путь искусственного получения кристаллов тех веществ, природные кристаллы которых редки и дороги, и тех, которые вообще не встречаются   среди   минералов.

Небольшая по объему книга содержит почти исчерпывающие сведения о старом, редко применявшемся методе выращивания кристаллов, который возродился в современная форме и благодаря необычайной простоте н широким возможпосгям приобрел важное значение.

В книге изложена история метода, приведены данные о приготовлении и свойствах геля, рассмотрены диффузия и скорости роста, функция геля при кристаллизации, подробно описано гомогенное и гетерогенное зарождение кристаллов. Рассмотрены перспективы развития этого метода.

Книга адресована специалистам по кристаллохимии, специалистам в области физики полупроводников, преподавателям и студентам вузов.