Добрый день, Коллеги. Важное сообщение, просьба принять участие. Музей Ферсмана ищет помощь для реставрационных работ в помещении. Подробности по ссылке

Издание 2
Автор(ы):Шаскольская М.П.
Издание:Высшая Школа, Москва, 1984 г., 376 стр., УДК: 548.0 (075.8)
Язык(и)Русский
Кристаллография. Учебное пособие для втузов

В книге (1-е издание вышло в 1976 г.) излагаются основы классической кристаллографии и кристаллохимии, а также вопросы широко развившейся за последние годы кристаллофизики, технической кристаллографии, приводятся инженерные методы расчета свойств кристаллов, описываются новые кристаллические материалы и подробно рассматривается применение кристаллов  в технике.

Издание 5
Автор(ы):Попов Г.М., Шафрановский И.И.
Издание:Высшая Школа, Москва, 1972 г., 352 стр., УДК: 531.9
Язык(и)Русский
Кристаллография. Учебник для студентов геологических специальностей высших учебных заведений

Учебник содержит краткое изложение основ науки о кристаллах: общие понятия о свойствах и строении твердого кристаллического вещества, основы геометрии, физики и химии кристаллов. Описан ряд кристаллографических методов.
При подготовке учебника к переизданию в него были внесены исправления и существенные дополнения с учетом последних достижений науки.

Кристаллография, изучающая процессы образования, формы, структуру и физико-химические свойства кристаллов, теснейшим образом связана с промышленностью.

Развитие металлургии, приборостроения, радиотехники, оптической промышленности, производство новых высококачественных химических продуктов, создание высокопрочных и жаростойких материалов, каменного литья, сахарного производства и многих других отраслей требуют от своих работников углубленных знаний в области кристаллографии.

Автор(ы):Урусов В.С.
Издание:Издательство МГУ, Москва, 1987 г., 275 стр., УДК: 548.5
Язык(и)Русский
Теоретическая кристаллохимия

В учебнике, подготовленном в соответствии с программой, утвержденной Министерством высшего и среднего специального образования СССР, на современном уровне систематически изложены основы теоретической кристаллохимии. Впервые дается исторический очерк развития химической кристаллографии и кристаллохимии После описания важнейших для кристаллохимии свойств атомов и их связей в кристаллической структуре излагаются приемы описания атомного строения кристалла. Отдельные главы посвящены основным категориям кристаллохимии: морфотропии и структурной гомологии, полиморфизму и политипизму, изоморфизму.

Настоящий курс теоретической кристаллохимии существенно отличается, особенно построением, от известных учебников, например от популярной «Кристаллохимии» Г. Б. Бокия, по которой учились многие поколения студентов и последнее, третье, издание которой вышло в 1971 г. В отличие от прежних учебников, он содержит только краткие сведения о геометрических основах кристаллохимии (гл. V). Такое сокращение сделано сознательно, поскольку, как показывает практика преподавания курса кристаллохимии на геологическом факультете МГУ, этот материал лучше усваивается студентами на семинарских занятиях и требует самостоятельной работы по решению задач и упражнений. Большое .число последних читатель найдет в «Руководстве к практическим занятиям по кристаллохимии» Ю. Г. Загальской, Г. П. Литвинской, Ю. К. Егорова-Тисменко (1983).

В учебнике отсутствуют также главы описательной кристаллохимии, которые традиционно отводились для структурно-химической систематики отдельных классов соединений. Здесь эти сведения используются только для иллюстрации кристаллохимических законов и правил (главы III, V—VIII). В то же время в новом варианте курса впервые достаточно полно и последовательно излагается история кристаллохимии (гл. I). Внимание, которое здесь уделяется историческим сведениям, вполне соответствует убеждению В. И. Вернадского (1903), что «сознание исторической эволюции знания... особенно необходимо при изложении современного состояния какой-нибудь науки, так как только этим путем возможно сохранить для будущего исследователя указания на взгляды и факты, которые кажутся автору ложными и неважными,— но которые ход времен как раз выдвинет вперед, как правильные или научно полезные...»

Раздельное рассмотрение имеющих кристаллохимическое значение свойств свободного атома (гл. II) и атома в кристалле (гл. IV), по мнению автора, совершенно необходимо, чтобы показать со всей отчетливостью, что свойства атома (или иона) в кристалле не являются константами, а носят характер эффективных величин, физический смысл и численные значения которых меняются в зависимости от уровня наших знаний. Например, представления о размерах и форме атомов в кристаллах сейчас в нарастающем количестве получают как прямой результат прецизионных рентгеноструктурных исследований распределения электронной плотности (гл. IV), раньше технически недоступных для экспериментатора. Такое разделение подчеркивается и тем, что между указанными описаниями двух наборов атомных свойств помещается изложение теории межатомного взаимодействия в кристаллах (гл. III).

В последних трех главах (VI—VIII) содержится последовательный анализ основных категорий кристаллохимии, крупнейших обобщений этой науки. Автор при написании этих глав стремился показать тесную взаимосвязь между отдельными понятиями и доказать, что современная кристаллохимия вплотную подступила к созданию количественных моделей выработанных ею в течение предыдущих десятилетий представлений об устойчивости структурного типа (морфотроп'ия, полиморфизм — гл. VI, VII и особенно изоморфизм — гл. VIII).

Автор отдает себе отчет в том, что опыт создания по существу первого учебника собственно теоретической кристаллохимии не лишен многочисленных недостатков, и поэтому будет благодарен тем лицам, которые в любой форме внесут свои замечания и пожелания. Автор приносит свою благодарность рецензентам книги - В. А. Франк-Каменецкому и Ю. А. Пятенко, чьи критические замечания и поправки во многом способствовали ее улучшению. Автор признателен также Ю. Г. Загальской, Г. П.Литвинской и Н. Л. Смирновой за внимательное прочтение главы V и И. П. Дейнеко за большую помощь в подготовке рукописи к печати.

Автор(ы):Пущаровский Д.Ю.
Издание:Геоинформмарк, Москва, 2000 г., 292 стр., УДК: 548.73, ISBN: 5-900357-50-3
Язык(и)Русский
Рентгенография минералов

Дается описание весьма разнообразных физических явлений, сопровождающих процессы рассеяния дифракции рентгеновских волн в кристаллах, без привлечения сложного математического аппарата Рассматриваются природа и свойства рентгеновских лучей, излагаются подходы к решению ряда практических задач рентгенографии минералов, представлены основные принципы теории рассеяния рентгеновских лучей в кристаллах и теоретические основы рентгено-структурного анализа кристаллов Рассмотрены новые приложения рентгено структурного анализа для решения важнейших проблем современной геологии и минералогии

Учебник написан на основе курса лекций по рентгенофафии мине ралов, читаемого студентам Геологического факультета МГУ

Предназначен для студентов и аспирантов геологических вузов, а также для специалистов в области кристаллофафии, минералогии, петрологии, литологии и смежных дисциплин.

ТематикаРентгенография
Том 4
Автор(ы):Гречушников Б.Н., Желудев И.С., Залесский А.В., Пикин С.А., Семилетов С.А., Урусовская А.А., Чистяков И.Г., Шувалов Л.А.
Издание:Наука, Москва, 1981 г., 496 стр., УДК: 548.053
Язык(и)Русский
Современная кристаллография. Том 4. Физические свойства кристаллов

Настоящий том посвящен изложению физических свойств кристаллов на основе учения о кристаллофизике.
Вначале вводится тензорный аппарат кристаллофизики и рассматриваются общие вопросы симметрии физических свойств кристаллов. Далее рассматриваются механические (упругие свойства, пластическая деформация, механическое двойни ковапие, разрушение), электрические (и основном гегнетоэлсктрнчесюю), магнитные, полупроводниковые и оптические свойства кристаллов. Изложены явления переноса в процессах ллектро- и теплопроводности, а также термоэлектрические, гальвано-и термомагнитиые явления в кристаллах. Описаны физические свойства жидких кристаллов.
Книга рассчитана на научных сотрудников и инженеров, работающих в области исследования, применения и выращивания кристаллов, а также преподавателей, аспирантов и студентов старших Курсов высших учебных Заведении.

ТематикаКристаллография
Том 3
Автор(ы):Багдасаров Х.С., Гиваргизов Е.И., Демьянец Л.Н., Кузнецов В.А., Лабочев А.Н., Чернов А.А.
Издание:Наука, Москва, 1980 г., 401 стр., УДК: 548.5
Язык(и)Русский
Современная кристаллография. Том 3. Образование кристаллов

Предлагаемый читателю третий том «Современной кристаллографии» посвящен научным и практическим вопросам образования кристаллов. В первой части систематически изложены основные представления о фундаментальных явлениях кристаллизации. Здесь рассмотрены: термодинамические движущие силы кристаллизации; структура фазовой границы между кристаллом и его паром, раствором и расплавом; образование зародышей в объемах переохлажденных фаз и на твердых поверхностях; эпитаксия; кинетика послойного и нормального роста; морфология поверхностей; влияние примесей на процессы роста и захват примесей; устойчивость фронта кристаллизации; образование дефолтов при кристаллизации — захват включении, образование дислокаций и остаточных напряжений; массовая кристаллизация и созревание в дисперсных кристаллических системах.
Во второй части книги систематически изложены основы всех методов выращивания кристаллов, получивших достаточно широкое распространение в промышленной и лабораторной практике: отдельно рассмотрены физические и химические методы выращивания из газовой фазы, методы выращивания из низкотемпературных водных растворов, из гидротермальных растворов, из растворов в высокотемпературных расплавах, методы выращивания из расплавов, в том числе при высоких температурах. Описаниям всех методов предпослан анализ их физико-химических основ. Для каждого из методов приведены характерные примеры его применения, разобраны важнейшие характеристики кристаллов, связанные с условиями их получения, диагностика дефектов в кристаллах п некоторые пути управления ростом и реальной структурой кристаллов. Изложены основные принципы выбора подходящей методики для практического выращивания кристаллов с теми или иными свойствами. Книга имеет целью вооружить читателя методическими основами анализа процессов кристаллизации и практического выращивания кристаллов. Изложение требует знакомства читателя с основами физики и химии в объеме начального вузовского курса и не предполагает знакомства с литературой по образованию кристаллов. Вместе с тем значительная часть материала представляет интерес также для специалистов в области образования кристаллов.

Том 2
Автор(ы):Вайнштейн В.Б., Инденбом Л.М., Фридкин В.М.
Редактор(ы):Семилетов С.А.
Издание:Наука, Москва, 1979 г., 360 стр., УДК: 548.0
Язык(и)Русский
Современная кристаллография. Том 2. Структура кристаллов

Настоящий том посвящен описанию атомного (идеального) строения кристаллов, электронной структуры и динамики решетки, реальной структуры кристаллов с ее разнообразными дефектами.
Излагаются основы теории химической связи между атомами, рассматриваются геометрические представления в теории кристаллической структуры и кристаллохимии, энергия решетки. Описываются важнейшие классы кристаллических структур неорганических и органических соединений, а также строение полимеров, жидких кристаллов, биологических кристаллов и макромолекул.
Даны основы электронной теории кристаллической решетки, позволяющие классифицировать кристаллы по их энергетическому спектру. Рассматриваются динамика решетки и фазовые переходы. Изложены представления о реальной структуре кристаллов с ее различными термодинамически равновесными и неравновесными нарушениями, проанализированы и математически описаны все типы дефектов, особое внимание уделено теории дислокаций.
Книга рассчитана на научных сотрудников, специалистов-практиков и производственников: физиков, химиков, кристаллографов, минералогов, инженеров, изучающих кристаллы и использующих методы и аппарат кристаллографии, а также студентов старших курсов и аспирантов.

Том 1
Автор(ы):Вайнштейн Б.К.
Издание:Наука, Москва, 1979 г., 384 стр., УДК: 548.1
Язык(и)Русский
Современная кристаллография. Том 1. Симметрия кристаллов, методы структурной кристаллографии.

Настоящий том посвящен учению о симметрии кристаллов, которое является теоретической основой кристаллографии, и изложению методов анализа атомной структуры кристаллов.
Вначале вводятся основные понятия кристаллографии, рассматриваются общие характеристики кристаллического состояния вещества — макроскопические и микроскопические (определяемые решетчатым строением). Учение о симметрии излагается па основе теории групп. Анализируются точечные группы симметрии, группы стержней и слоев, пространственные группы. Рассматриваются обобщения симметрии: антисимметрия и цветная симметрия. Дается геометрическая теория описания конечного кристалла и кристаллической решетки.
Изложены физические принципы и основы математического аппарата структурного анализа кристаллов. Описаны методы изучения атомного строения   кристаллического   вещества:   рентгеноструктурный   анализ, электронография, нейтронография,  электронная микроскопия. Книга рассчитана на научных сотрудников, специалистов-практиков и производственников: кристаллографов, физиков, химиков, минералогов, инженеров, использующих методы и аппарат кристаллографии, а также студентов старших курсов и аспирантов.

Издание 3
Автор(ы):Болдырев А.К.
Издание:Государственное научно-техническое горно-геолого-нефтяное издательство, Москва-Ленинград-Грозный-Новосибирск, 1934 г., 426 стр.
Язык(и)Русский
Кристаллография.

«Курс кристаллографии» доктора геологических наук, профессора Ленинградскою горного института Анатолия Капитоновича Болдырева, является третьим, частично исправленным и дополненным изданием . В нем описываются: формы кристаллов, методы их изучения, геометрическая теория строения и определение вещества по формам, его кристаллов; механические, тепловые, рентгенометрические, магнитные, звуковые свойства кристаллов, их рост и растворение; связь их формы и строения с химическим составом, полиморфизм и др. Кроме этого приведено описание универсального столика Е. С. Федорова и склерометра Мартенса с указанием основных приемов работы с ними.
Книга является не только прекрасным учебником для студентов геологоразведочных специальностей, но и ценным руководством для специалистов.

ТематикаКристаллография, Раритет
Источник:Интернет

Minerals of the World

Владелец инбокса: kaptar.j

The following photographers have kindly supplied illustrations: W.A.M. Devile, Rijks-museum van Geologie en Mineralogie, Leiden, The Netherlands: W Lieber, Heidelberg, Germany; J, Weber, Mamaroneck, U.S.A. Part ol the pictures by W.A.M. Devile have appeared in the 25-volume "Grote Winckler Prins Encyclopedie" !8th, completely revised edition, 1980), published by B.V. Uitgeversmaatschappij Elsevier, Amsterdam. They are reprinted with permission. Part of the pictures by W. Lieber have been printed in his book "Bunte Welt der schonen Steine" (4th edition, 1978) published by Franckh-Kosmos Verlagsgruppe, Stuttgart, Germany. They are reprinted with permission. Cooperation of B.V. Uitgeverij en Boekhandel W.J. Thieme & Cie, Zutphen, The Netherlands is greatfully acknowledged. J.H. Puffer, Newark, U.S.A., kindly supplied data for the section of the index dealing with hazardous properties. © Elsevier Science Publishers B.V., 1983. All rights reserved. No part of this publication may be reproduced, stored in a retrieval system or transmitted in any form or by any means, electronic, mechanical, photocopying, recording or otherwise, wifhout the prior written permission of the publisher, Elsevier Science Publishers B.V., P.O. Box 330, 1000 AH Amsterdam, The Netherlands.

Прикрепленные файлы
Категория: Минералогия Метки: Кристаллография,Минералогия,Учебная литература,
Ленты новостей
3016.94