В книге излагаются современные представления о строении, важнейших свойствах, зарождении и росте кристаллов, об образовании в них различных неоднородностей и примесей. Описываются методы получения бездефектных кристаллов, очистки кристаллических веществ от примесей, а также методы получения слитков и художественного литья в заводских и домашних условиях.

Книга рассчитана на рабочих-рационализаторов в области металлургии и в других областях техники, имеющих дело с кристаллами, кристаллическими веществами и кристаллическими телами., а также она будет полезны работникам в области естественных наук

Приведен расчет процессов кристаллизации в одно- и многоступенчатых установках. Особое внимание уделено гидродинамическим и тепловым процессам, а также динамике распределения кристаллов по размерам при массовой кристаллизации. Рассмотрены принципы проектирования кристаллизаторов, приведены материальные и тепловые балансы. 

Предназначена научным и инженерно-техническим работникам химической и смежных отраслей промышленности. Полезна преподавателям, студентам и аспирантам соответствующих специальностей вузов

Массовая кристаллизация из растворов играет важную роль в определении существа технологии и производительности многих производств химической промышленности. Вместе с тем от условий проведения кристаллизации существенно зависят физико-химические свойства продуктов. При кристаллизации из многокомпонентных растворов как ход осаждения, так и свойства осадков во многом зависят от примесей. Роль примесей на различных этапах кристаллизации, закономерности их захвата в неравновесных условиях и влияние на физические свойства и являются предметом рассмотрения в данной монографии. Она содержит описание ряда оригинальных исследований по влиянию внедряющихся в кристаллическую решетку примесей на электрические свойства солей, захвату примесей солями в условиях быстрого осаждения и зависимости характеристики процесса кристаллизации от пресыщения и примесей

В монографии изложены основные теоретические представления об образовании и свойствах пересыщенных растворов, возникновении зародышей и росте кристаллов, кинетике кристаллизации, соосаждении примесей и их влиянии на форму кристаллов и физические свойства веществ. Рассмотрены вопросы устойчивости пересыщенных растворов и понятие о границе метастабильности, приведены теории роста кристаллов и взгляды различных авторов на его механизм, разобрано уравнение материального баланса и отражена роль примесей на отдельных этапах процесса кристаллизации. Наряду с известными положениями о распределении изоморфных примесей между жидкой и твердой фазами в монографии содержится материал но захвату примесей кристаллизующимися солями в неравновесных условиях. Приведены также данные по влиянию примесей на электрические свойства осадков и скорость их термического разложения. Помещен материал по влиянию примесей на гигроскопичность и слеживаемость кристаллических продуктов. В соответствующих разделах приведены основные математические зависимости, характеризующие кристаллизацию, и описаны экспериментальные исследования.

Впервые систематизированы изменения распределения примесей по значениям коэффициентов распределения, связанные с кристаллизацией из расплава. Дан сравнительный анализ исследований физических и физико-химических процессов кристаллизации нелегированных и легированных металлов (цветных, благородных, тугоплавких) и полупроводников. Изучен также ряд радиоактивных элементов. Изложены способы определения кинетических и эффективных коэффициентов распределения для неравновесных условий. Описан равновесный коэффициент распределения.
Для инженерно-технических работников, занимающихся материаловедением и физикой металлов и полупроводников

Книга предназначена главным образом для научных работников, изучающих различные физические свойства кристаллов, чтобы помочь искусственно выращивать эти кристаллы и дать представление о том, чем реальные кристаллы отличаются от идеальных. Инженеры-производственники, имеющие дело с кристаллизацией, могут найти в книге некоторые полезные сведения. Книга может быть полезна также металлургам, интересующимся кристаллизацией отливок и их структурой, минералогам и кристаллографам.

Предлагаемый читателю третий том «Современной кристаллографии» посвящен научным и практическим вопросам образования кристаллов. В первой части систематически изложены основные представления о фундаментальных явлениях кристаллизации. Здесь рассмотрены: термодинамические движущие силы кристаллизации; структура фазовой границы между кристаллом и его паром, раствором и расплавом; образование зародышей в объемах переохлажденных фаз и на твердых поверхностях; эпитаксия; кинетика послойного и нормального роста; морфология поверхностей; влияние примесей на процессы роста и захват примесей; устойчивость фронта кристаллизации; образование дефолтов при кристаллизации — захват включении, образование дислокаций и остаточных напряжений; массовая кристаллизация и созревание в дисперсных кристаллических системах.
Во второй части книги систематически изложены основы всех методов выращивания кристаллов, получивших достаточно широкое распространение в промышленной и лабораторной практике: отдельно рассмотрены физические и химические методы выращивания из газовой фазы, методы выращивания из низкотемпературных водных растворов, из гидротермальных растворов, из растворов в высокотемпературных расплавах, методы выращивания из расплавов, в том числе при высоких температурах. Описаниям всех методов предпослан анализ их физико-химических основ. Для каждого из методов приведены характерные примеры его применения, разобраны важнейшие характеристики кристаллов, связанные с условиями их получения, диагностика дефектов в кристаллах п некоторые пути управления ростом и реальной структурой кристаллов. Изложены основные принципы выбора подходящей методики для практического выращивания кристаллов с теми или иными свойствами. Книга имеет целью вооружить читателя методическими основами анализа процессов кристаллизации и практического выращивания кристаллов. Изложение требует знакомства читателя с основами физики и химии в объеме начального вузовского курса и не предполагает знакомства с литературой по образованию кристаллов. Вместе с тем значительная часть материала представляет интерес также для специалистов в области образования кристаллов.

Сборник содержит в основном обзоры по структуре, росту и свойству кристаллов. Публикуемые материалы отражают современное состояние исследований в области теории симметрии, структуры жидких кристаллов, механизмов зарождения и роста кристаллов, образования дефектов при кристаллизации. Приводятся методы и результаты изучения реальной структуры кристаллов и ее связи с оптическими, механическими, электрическими и магнитными свойствами. Специальный раздел посвящен фазовым переходам, оптическим, магнитооптическим, фото- и сегнетоэлектрическим явлениям в кристаллах. Авторы сборника – известные специалисты в области кристаллографии и физики твердого тела.