Оптические и фотокаталитические свойства гетероструктур из висмута и карбоната стронция

Полупроводниковые материалы широко используются в различных областях науки и техники. Это обусловлено широким спектром физических свойств, которыми можно управлять путем модификации состава, легирования, создания композиционных материалов и гетероструктур. Одной из наиболее значимых областей практического применения полупроводниковых материалов является гетерогенный фотокатализ, обусловленный фотоактивностью отдельных полупроводниковых материалов.В настоящее время проводятся интенсивные исследования фотоактивности полупроводниковых материалов как с акцентом на познание фотофизических свойств таких материалов, так и ввиду перспектив их практического применения в разнообразных современных технологиях. Наиболее перспективным в гетерогенном фотокатализе является использование видимого (солнечного) света для активации фотокаталитических реакций, а наиболее эффективным – поглощение в области так называемого собственного поглощения полупроводников и диэлектриков (при межзонных электронных переходах). Поэтому ширина энергетической щели полупроводниковых фотокатализаторов должна соответствовать видимой области спектра: Eg<3,0 эВ. При этом ширина энергетической щели эффективных фотокатализаторов, должна несколько превышать пороговую энергию фотонов, при которых теоретически возможно разложение воды на газообразный кислород и водород (Eg> 1,23 эВ, см., например, [1]). <...>