В монографии рассматриваются методы выращивания лазерных диэлектрических кристаллов. Рассмотрение и систематизация методов ведётся с позиций, предъявляемых современной техникой к активным материалам твёрдотельных лазеров. Поэтому данную работу можно рассматривать как введение в материаловедение твёрдотельной квантовой электроники. С целью лучшей иллюстрации материала в работе приводятся основные сведения об использующихся в лазерной технике матрицах - кристаллах простых и сложных оксидов и фторидов. Рассмотрены методы выращивания из расплава, растворов и из газовой фазы объёмных кристаллов и плёнок. Приведены технологические схемы и режимы получения всех перспективных лазерных материалов. Особое внимание уделено как широко используемым в промышленности (методы Вернейла, Чохральского, Багдасарова), так и новым (оптическая зонная плавка, выращивание с лазерным нагревом, выращивание гарнисажным методом, получение лазерных плёнок жидкофазной эпитаксией и с помощью газотранспортных реакций). При рассмотрении каждого метода обсуждаются его технические характеристики и указывается круг материалов, который может быть этим методом получен.

Книга предназначена для научных работников и инженеров, специализирующихся в области материаловедения электронной техники, физики и химии твёрдого тела, а также специалистов, занимающихся проблемой поиска новых высокотемпературных материалов. Она может быть полезна студентам старших курсов и аспирантам, специализирующимся в области материаловедения.

Предлагаемый читателю третий том «Современной кристаллографии» посвящен научным и практическим вопросам образования кристаллов. В первой части систематически изложены основные представления о фундаментальных явлениях кристаллизации. Здесь рассмотрены: термодинамические движущие силы кристаллизации; структура фазовой границы между кристаллом и его паром, раствором и расплавом; образование зародышей в объемах переохлажденных фаз и на твердых поверхностях; эпитаксия; кинетика послойного и нормального роста; морфология поверхностей; влияние примесей на процессы роста и захват примесей; устойчивость фронта кристаллизации; образование дефолтов при кристаллизации — захват включении, образование дислокаций и остаточных напряжений; массовая кристаллизация и созревание в дисперсных кристаллических системах.
Во второй части книги систематически изложены основы всех методов выращивания кристаллов, получивших достаточно широкое распространение в промышленной и лабораторной практике: отдельно рассмотрены физические и химические методы выращивания из газовой фазы, методы выращивания из низкотемпературных водных растворов, из гидротермальных растворов, из растворов в высокотемпературных расплавах, методы выращивания из расплавов, в том числе при высоких температурах. Описаниям всех методов предпослан анализ их физико-химических основ. Для каждого из методов приведены характерные примеры его применения, разобраны важнейшие характеристики кристаллов, связанные с условиями их получения, диагностика дефектов в кристаллах п некоторые пути управления ростом и реальной структурой кристаллов. Изложены основные принципы выбора подходящей методики для практического выращивания кристаллов с теми или иными свойствами. Книга имеет целью вооружить читателя методическими основами анализа процессов кристаллизации и практического выращивания кристаллов. Изложение требует знакомства читателя с основами физики и химии в объеме начального вузовского курса и не предполагает знакомства с литературой по образованию кристаллов. Вместе с тем значительная часть материала представляет интерес также для специалистов в области образования кристаллов.